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S型异质结MoSi2N4/GeC电子及光学特性的第一性原理研究

赵娜娜王佳敏袁志浩崔真任聪聪

物理学报2023，Vol.72Issue(19)：177-187,11.

物理学报2023，Vol.72Issue(19)：177-187,11.DOI:10.7498/aps.72.20230836

S型异质结MoSi2N4/GeC电子及光学特性的第一性原理研究

First principles study of electronic and optical properties of S-type heterostructures MoSi2N4/GeC

赵娜娜 ¹王佳敏 ¹袁志浩 ²崔真 ³任聪聪¹

作者信息

1. 西安理工大学材料科学与工程学院,西安 710048||复合材料及其产品智能制造技术国际联合研究中心,西安 710048
2. 西安理工大学理学院,西安 710054
3. 西安理工大学自动化与信息工程学院,西安 710048
折叠

摘要

关键词

S型异质结/光催化水分解/双轴应变调控/垂直电场调控

Key words

S-type heterostructures/photocatalytic water decomposition/biaxial strain regulation/vertical electric field regulation

引用本文复制引用

赵娜娜,王佳敏,袁志浩,崔真,任聪聪..S型异质结MoSi2N4/GeC电子及光学特性的第一性原理研究[J].物理学报,2023,72(19):177-187,11.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:52274395,U20A20235)、陕西省重点研发计划(批准号:2018ZDXM-GY-139)和中国博士后科学基金(批准号:2018M633542)资助的课题.Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.52274395,U20A20235),the Key Research and Development Program of Shaanxi Province,China(Grant No.2018ZDXM-GY-139),and the China Postdoctoral Science Foundation(Grant No.2018M633542). （批准号:52274395,U20A20235）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-3290

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