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InP衬底上的双载流子倍增雪崩光电二极管结构设计

赵华良彭红玲周旭彦张建心牛博文尚肖王天财曹澎

物理学报2023，Vol.72Issue(19)：267-273,7.

物理学报2023，Vol.72Issue(19)：267-273,7.DOI:10.7498/aps.72.20230885

InP衬底上的双载流子倍增雪崩光电二极管结构设计

Structural design of dual carrier multiplication avalanche photodiodes on InP substrate

赵华良 ¹彭红玲 ²周旭彦 ²张建心 ³牛博文 ¹尚肖 ⁴王天财 ⁵曹澎⁵

作者信息

1. 曲阜师范大学物理工程学院,曲阜 273165||潍坊先进光电芯片研究院,潍坊 261071
2. 潍坊先进光电芯片研究院,潍坊 261071||中国科学院半导体研究所,北京 100083
3. 潍坊先进光电芯片研究院,潍坊 261071||潍坊学院物理与电子信息学院,潍坊 261061
4. 潍坊先进光电芯片研究院,潍坊 261071||山东理工大学物理与光电工程学院,淄博 255049
5. 中国科学院半导体研究所,北京 100083
折叠

摘要

关键词

雪崩光电二极管/微弱信号/双载流子倍增/增益

Key words

avalanche photodiode/weak signal/dual carrier multiplication/gain

引用本文复制引用

赵华良,彭红玲,周旭彦,张建心,牛博文,尚肖,王天财,曹澎..InP衬底上的双载流子倍增雪崩光电二极管结构设计[J].物理学报,2023,72(19):267-273,7.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2018YFE0200900)资助的课题.Project supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2018YFE0200900). （批准号:2018YFE0200900）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-3290

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