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Cu掺杂β-Ga2O3薄膜的制备及紫外探测性能

刘玮 冯秋菊 宜子琪 俞琛 王硕 王彦明 隋雪 梁红伟

物理学报2023,Vol.72Issue(19):274-280,7.
物理学报2023,Vol.72Issue(19):274-280,7.DOI:10.7498/aps.72.20230971

Cu掺杂β-Ga2O3薄膜的制备及紫外探测性能

Preparation and ultraviolet detection performance of Cu dopedβ-Ga203 thin films

刘玮 1冯秋菊 1宜子琪 1俞琛 1王硕 1王彦明 1隋雪 1梁红伟2

作者信息

  • 1. 辽宁师范大学物理与电子技术学院,大连 116029
  • 2. 大连理工大学微电子学院,大连 116024
  • 折叠

摘要

关键词

化学气相沉积法/p型β-Ga2O3/Cu掺杂/紫外光电探测器

Key words

chemical vapor deposition/p-type β-Ga2O3/Cu doping/UV photodetector

引用本文复制引用

刘玮,冯秋菊,宜子琪,俞琛,王硕,王彦明,隋雪,梁红伟..Cu掺杂β-Ga2O3薄膜的制备及紫外探测性能[J].物理学报,2023,72(19):274-280,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:12075045)、辽宁省自然科学基金(批准号:2020-MS-243)、大连市科技创新基金项目(批准号:2022JJ12GX023)和辽宁师范大学2022年高端科研成果培育资助计划(批准号:22GDL002)资助的课题.Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.12075045),the Natural Science Foundation of Liaoning Province,China(Grant No.2020-MS-243),Dalian Technological Innovation Fund Project,China(Grant No.2022JJ12GX023),and the Liaoning Normal University 2022 Outstanding Research Achievements Cultivation Fund,China(Grant No.22GDL002). (批准号:12075045)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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