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2.4GHz频段射频前端高线性度SiGe低噪声放大器设计

傅海鹏 史昕宇

湖南大学学报(自然科学版)2023,Vol.50Issue(10):77-83,7.
湖南大学学报(自然科学版)2023,Vol.50Issue(10):77-83,7.DOI:10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2023240

2.4GHz频段射频前端高线性度SiGe低噪声放大器设计

Design of 2.4 GHz RF Front-end High Linearity SiGe Low Noise Amplifier

傅海鹏 1史昕宇1

作者信息

  • 1. 天津大学 微电子学院,天津 300072
  • 折叠

摘要

关键词

低噪声放大器/线性度/射频前端芯片/BiCMOS工艺

Key words

low noise amplifiers/linearity/radio frequency front-end chip/BiCMOS technology

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

傅海鹏,史昕宇..2.4GHz频段射频前端高线性度SiGe低噪声放大器设计[J].湖南大学学报(自然科学版),2023,50(10):77-83,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(62074110),National Natural Science Foundation of China(62074110) (62074110)

湖南大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-2974

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