中国电机工程学报2023，Vol.43Issue(20)：8025-8037,中插22,14.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.221570
压接型IGBT芯片的参数分散性对其并联时开通均流的影响
Influence of Parameter Dispersion of Parallel Press-pack IGBT Chips on Its Current Sharing During Turn-on Process
摘要
关键词
压接型IGBT/开通均流/芯片参数/筛选策略Key words
press-pack insulated gate bipolar transistor(IGBT)/current sharing during turn-on process/chip parameter/screening strategy分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
曹子楷,崔翔,李学宝,范迦羽,詹雍凡..压接型IGBT芯片的参数分散性对其并联时开通均流的影响[J].中国电机工程学报,2023,43(20):8025-8037,中插22,14.基金项目
国家自然科学基金委员会-国家电网公司智能电网联合基金(U1766219). The National Natural Science Foundation of China-State Grid Corporation of China Smart Grid Joint Fund(U1766219). （U1766219）
