中国电机工程学报2023，Vol.43Issue(20)：8038-8047,中插23,11.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.221380
SiC MOSFET新型负压关断串扰抑制驱动电路
A Novel Crosstalk Suppression Driving Circuit for SiC MOSFET Based on Negative Voltage Level Shift
摘要
关键词
碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管/杂散寄生参数/双脉冲测试/驱动电路/串扰Key words
SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)/parasitic parameters/double pulse test/driving circuit/crosstalk分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郑翔,杭丽君,曾庆威,闫东,陈克俭,赖宇帆,曾平良..SiC MOSFET新型负压关断串扰抑制驱动电路[J].中国电机工程学报,2023,43(20):8038-8047,中插23,11.基金项目
国家自然科学基金项目(52377176) （52377176）
浙江省自然科学基金项目(LO22E070002). Project Supported by National Natural Science Foundation of China(52377176) （LO22E070002）
Natural Science Foundation of Zhejiang Province(LO22E070002). （LO22E070002）
