电子学报2023，Vol.51Issue(8)：1995-2002,8.DOI:10.12263/DZXB.20220020
超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究
Research on Ultra-Low On-Resistance Trench Gate LDMOS Device
摘要
关键词
横向双扩散场效应晶体管/沟槽/横向元胞尺寸/击穿电压/特征导通电阻Key words
lateral double-diffused mosfet/trench/lateral cell pitch/breakdown voltage/specific on-resistance分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
吝晓楠,孙伟锋,吴团庄,许超奇,李仁伟,张仪,薛璐洁,陈淑娴,林峰,刘斯扬..超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究[J].电子学报,2023,51(8):1995-2002,8.基金项目
国家重点研发计划(No.2020YFF0218501) （No.2020YFF0218501）
东南大学至善学者基金(No.2242021R41080) National Key Research and Development Program(No.2020YFF0218501) （No.2242021R41080）
Southeast Univer-sity Zhishan Scholars Fundation(No.2242021R41080) （No.2242021R41080）
