工艺-电压-温度综合稳健的亚1V 10位SAR ADCOACSCD
A Sub-1V 10 bit SAR ADC Robust Against Process-Voltage-Temperature Variation
采用0.11-µm CMOS工艺设计了一款10位亚1 V工艺-电压-温度(Process-Voltage-Temperature,PVT)综合稳健的逐次逼近寄存器型(Successive-Approximation-Register,SAR)模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)IP核.由于SAR ADC数字化程度较高,为了降低整体功耗,采用小于标准电压的亚1 V供电.然而,对于异步SAR ADC,在低压下面临严峻的PVT不稳健问题,传统采用固定延迟电路的方式无法应对所有的PVT偏差,会导致ADC良率下降.提出一种用于异步SAR ADC的可配置延迟调控技术,采用3输入译码器调节延迟电路的电流,以满足ADC在多种PVT组合下所需的延时,在TT,SS,FF,SF,FS这5种工艺角,0.9～1 V供电范围和-40～85℃的温度范围下,均取得了良好的动态特性.在0.95 V供电,采样速率为200 kS/s时,总功耗为2.24 µW,FoM值仅为16.46 fJ/Conv.-step.
张畅;佟星元
西安邮电大学陕西省通信专用集成电路设计工程技术研究中心,陕西西安 710121西安邮电大学陕西省通信专用集成电路设计工程技术研究中心,陕西西安 710121
电子信息工程
模数转换器(ADC)逐次逼近寄存器(SAR)工艺-电压-温度(PVT)低压低功耗
analog-to-digital converter(ADC)successive-approximation-register(SAR)process-voltage-tempera-ture(PVT)low voltagelow power
《电子学报》 2023 (8)
2050-2057,8
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