空间电子技术2023，Vol.20Issue(5)：36-44,9.DOI:10.3969/j.issn.1674-7135.2023.05.006
新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET仿真研究
Simulation study of a new re-grown channel GaN quasi-vertical MOSFET
摘要
关键词
GaN/电力电子器件/GaN基准垂直MOSFET/再生长沟道Key words
GaN/power electronic devices/GaN quasi-vertical MOSFET/re-grown channel分类
电子信息工程引用本文复制引用
李萌迪,祝杰杰,侯斌,张鹏,杨凌,贾富春,常青原..新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET仿真研究[J].空间电子技术,2023,20(5):36-44,9.基金项目
陕西省自然科学基金项目(编号:2022JM-316) （编号:2022JM-316）
