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p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究

常青原贾富春李萌迪侯斌杨凌马晓华

空间电子技术2023，Vol.20Issue(5)：45-49,5.

空间电子技术2023，Vol.20Issue(5)：45-49,5.DOI:10.3969/j.issn.1674-7135.2023.05.007

Simulation of p-GaN/n-Ga2O3 junction terminal extended Schottky barrier diode

常青原 ¹贾富春 ¹李萌迪 ¹侯斌 ¹杨凌 ¹马晓华¹

作者信息

p型氮化镓/氧化镓/结终端延伸/肖特基二极管

p-type gallium nitride/gallium oxide/junction terminal extension/schottky barrier diode

电子信息工程

常青原,贾富春,李萌迪,侯斌,杨凌,马晓华..p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究[J].空间电子技术,2023,20(5):45-49,5.

国家自然科学基金(编号:62104184) （编号:62104184）

中央高校专项(编号:XJSJ23047) （编号:XJSJ23047）

ISSN：1674-7135

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