空间电子技术2023，Vol.20Issue(5)：58-63,6.DOI:10.3969/j.issn.1674-7135.2023.05.009
AlN/GaN HEMT毫米波器件结构仿真研究
Simulation study of AlN/GaN HEMT millimeter wave device structure
摘要
关键词
GaN HEMTs/AlN/高频/短沟道效应Key words
GaN HEMTs/AlN/high frequency/short channel effect分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李晗溱,宓珉瀚,周雨威,龚灿,马晓华..AlN/GaN HEMT毫米波器件结构仿真研究[J].空间电子技术,2023,20(5):58-63,6.基金项目
国家自然科学基金(编号:61904135,62090014,11690042,62188102) （编号:61904135,62090014,11690042,62188102）
中国博士后科学基金(编号:2018M640957,BX20200262) （编号:2018M640957,BX20200262）
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芜湖和西安电子科技大学产学研合作专项资金(编号:XWYCXY-012021014-HT) （编号:XWYCXY-012021014-HT）
中央高校基础研究(编号:XJS221110) （编号:XJS221110）
