空间电子技术2023，Vol.20Issue(5)：71-76,6.DOI:10.3969/j.issn.1674-7135.2023.05.011
基于MOCVD欧姆再生长制备的高性能AlGaN/GaN HEMTs
High-performance AlGaN/GaN HEMTs with MOCVD regrown ohmic
摘要
关键词
AlGaN/GaN HEMTs/欧姆再生长/MOCVDKey words
AlGaN/GaN HEMTs/regrown ohmic/MOCVD分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
徐佳豪,祝杰杰,郭静姝,赵旭,马晓华..基于MOCVD欧姆再生长制备的高性能AlGaN/GaN HEMTs[J].空间电子技术,2023,20(5):71-76,6.基金项目
国家自然科学基金(编号:62174125) （编号:62174125）
