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基于分立器件并联的高功率密度碳化硅电机控制器研究

张少昆 孙微 范涛 温旭辉 张栋

电工技术学报2023,Vol.38Issue(22):5999-6014,16.
电工技术学报2023,Vol.38Issue(22):5999-6014,16.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.230545

基于分立器件并联的高功率密度碳化硅电机控制器研究

Research on High Power Density Silicon Carbide Motor Controller Based on Parallel Connection of Discrete Devices

张少昆 1孙微 1范涛 1温旭辉 1张栋1

作者信息

  • 1. 中国科学院电工研究所 北京 100190||中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室 北京 100190
  • 折叠

摘要

关键词

SiC MOSFET/分立器件并联/高功率密度/印制电路板(PCB)叠层母排

Key words

SiC MOSFET/discrete device parallel/high power density/printed circuit board(PCB)stack bus

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张少昆,孙微,范涛,温旭辉,张栋..基于分立器件并联的高功率密度碳化硅电机控制器研究[J].电工技术学报,2023,38(22):5999-6014,16.

基金项目

十四五国家重点研发计划资助项目(2022YFB2502800). (2022YFB2502800)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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