硅酸盐通报2023，Vol.42Issue(11)：4178-4182,5.
S空位与Tc掺杂单层MoS2的电子结构和磁学性质模拟
Simulation of Electronic Structure and Magnetism Properties of S Vacancy and Tc-Doped Monolayer MoS2
摘要
关键词
Tc掺杂单层MoS2/第一性原理/电荷密度/电子结构/磁学性质Key words
Tc-doped ML-MoS2/first-principle/charge density/electronic structure/magnetic property分类
物理学引用本文复制引用
付斯年,朱瑞华..S空位与Tc掺杂单层MoS2的电子结构和磁学性质模拟[J].硅酸盐通报,2023,42(11):4178-4182,5.基金项目
黑龙江省教育厅项目(1451MSYYB007) （1451MSYYB007）
牡丹江师范学院项目(QN2020005) （QN2020005）
