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碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展

李国峰陈泓谕杭伟韩学峰袁巨龙皮孝东杨德仁王蓉

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(11)：1907-1921,15.

Research Progress on Surface/Subsurface Damages of 4H Silicon Carbide Wafers

李国峰 ¹陈泓谕 ²杭伟 ²韩学峰 ³袁巨龙 ²皮孝东 ³杨德仁 ³王蓉³

作者信息

1. 浙江工业大学超精密加工研究中心,杭州 310023||浙江大学杭州国际科创中心,先进半导体研究院和浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,杭州 311200
2. 浙江工业大学超精密加工研究中心,杭州 310023
3. 浙江大学杭州国际科创中心,先进半导体研究院和浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,杭州 311200||浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室&材料科学与工程学院,杭州 310027
折叠

半导体/4H-SiC/衬底晶圆/表面/亚表面损伤/晶圆加工

semiconductor/4H-SiC/substrate wafer/surface/subsurface damage/wafer processing

化学化工

李国峰,陈泓谕,杭伟,韩学峰,袁巨龙,皮孝东,杨德仁,王蓉..碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展[J].人工晶体学报,2023,52(11):1907-1921,15.

国家自然科学基金(62274143,U22A2075,12204161,U20A20293) （62274143,U22A2075,12204161,U20A20293）

浙江省"尖兵""领雁"研发计划(2022C01021) （2022C01021）

国家重点研发计划(2018YFB2200101) （2018YFB2200101）

中央高校基本科研经费(2018XZZX003-02) （2018XZZX003-02）

国家自然科学基金创新群体(61721005) （61721005）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1000-985X

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