单晶硅各向异性仿真刻蚀模型构建与形貌模拟OA
Construction of Anisotropic Simulation Etching Model and Morphology Simulation of Mono-Crystalline Silicon
本文针对单晶硅在不同温度、浓度、表面活性剂等多种刻蚀条件下的形貌模拟问题,构建了硅原子结构模型并分析了其主要晶面刻蚀速率和对应原子结构之间的关系,提出了适应于单晶硅刻蚀模拟的表层原子刻蚀函数(Si-RPF),明确了晶面宏观刻蚀速率与原子微观移除概率之间的数值联系,构建了基于遗传算法的动力学蒙特卡罗各向异性湿法刻蚀工艺模型(Si-KMC).该工艺模型可以基于台阶流动理论,从原子角度解释单晶硅刻蚀各向异性的成因,能够明确不同类型的原子在刻蚀过程中的作…查看全部>>
张辉;钱珺;洪莉莉
南京工业职业技术大学机械工程学院,南京 210000||东南大学机械工程学院,南京 210000南京工业职业技术大学机械工程学院,南京 210000南京工业职业技术大学机械工程学院,南京 210000
单晶硅湿法刻蚀表层形貌晶面各向异性活性剂蒙特卡罗仿真
mono-crystalline siliconwet etchingsurface morphologycrystal planeanisotropysurfactantMonte Carlosimulation
《人工晶体学报》 2023 (11)
1961-1970,10
江苏省工业感知及智能制造装备工程研究中心开放基金(ZK22-05-07)南京工业职业技术大学引进人才科研启动基金(YK20-01-08)
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