太阳能Issue(11)：25-32,8.DOI:10.19911/j.1003-0417.tyn20220822.02
本征氢化非晶硅薄膜厚度对其钝化性能和HIT太阳电池电性能的影响
EFFECT OF INTRINSIC HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON FILM THICKNESS ON ITS PASSIVATION PERFORMANCE AND ELECTRICAL PERFORMANCE OF HIT SOLAR CELLS
杜敬良 1张会学 2姜利凯 2勾宪芳 2刘海涛 1王丽婷1
作者信息
- 1. 中节能太阳能科技(镇江)有限公司,镇江 212132
- 2. 中节能太阳能股份有限公司,北京 100082
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摘要
关键词
异质结太阳电池/板式PECVD设备/本征氢化非晶硅薄膜/钝化/少子寿命/光透过率/电性能Key words
HIT solar cells/plate PECVD equipment/intrinsic hydrogenated amorphous silicon film/passivation/minority carrier lifetime/transmittance/electrical performance分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杜敬良,张会学,姜利凯,勾宪芳,刘海涛,王丽婷..本征氢化非晶硅薄膜厚度对其钝化性能和HIT太阳电池电性能的影响[J].太阳能,2023,(11):25-32,8.
