中国电机工程学报2023，Vol.43Issue(21)：8478-8489,12.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.221385
基于寄生电感优化的分立式SiC MOSFET器件压接封装方法研究
Investigation on Press-pack Packaging Method of Discrete SiC MOSFET Based on Parasitic Inductance Optimization
摘要
关键词
TO-247-3/压接封装/SiC MOSFET/分立器件/寄生电感/开关损耗Key words
TO-247-3/press-pack package/SiC MOSFET/discrete device/parasitic inductance/switching loss分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李辉,朱哲研,姚然,王晓,刘人宽,余越,赖伟..基于寄生电感优化的分立式SiC MOSFET器件压接封装方法研究[J].中国电机工程学报,2023,43(21):8478-8489,12.基金项目
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