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一种基于40nm CMOS工艺的25 Gb/s新型CTLE电路

李博恺 何进

光通信技术2023,Vol.47Issue(6):32-37,6.
光通信技术2023,Vol.47Issue(6):32-37,6.DOI:10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2023.06.007

一种基于40nm CMOS工艺的25 Gb/s新型CTLE电路

New 25 Gb/s CTLE circuit based on 40nm CMOS process

李博恺 1何进1

作者信息

  • 1. 武汉大学物理科学与技术学院,武汉 430072
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摘要

关键词

高速光通信/连续时间线性均衡器/电感峰化/负电容补偿/互补金属氧化物半导体

Key words

high speed optical communication/continuous time linear equalizer/inductive peaking/negative capacitance com-pensation/complementary metal oxide semiconductor

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李博恺,何进..一种基于40nm CMOS工艺的25 Gb/s新型CTLE电路[J].光通信技术,2023,47(6):32-37,6.

基金项目

国家自然科学基金项目(批准号:61774113)资助. (批准号:61774113)

光通信技术

OA北大核心

1002-5561

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