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不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究

陈程程 刘立英 王如志 宋雪梅 王波 严辉

物理学报Issue(17):P.455-461,7.
物理学报Issue(17):P.455-461,7.

不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究

陈程程 1刘立英 2王如志 1宋雪梅 1王波 1严辉1

作者信息

  • 1. 北京工业大学材料科学与工程学院,薄膜材料与技术实验室,北京100124
  • 2. 北京工业大学应用数理学院,北京100124
  • 折叠

摘要

关键词

基底/GaN/纳米薄膜/场发射

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

陈程程,刘立英,王如志,宋雪梅,王波,严辉..不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究[J].物理学报,2013,(17):P.455-461,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:11274029,11074017,51202007,11274028) (批准号:11274029,11074017,51202007,11274028)

北京市科技新星计划(批准号:2008B10) (批准号:2008B10)

北京市科技计划重点项目(批准号:D121100001812002) (批准号:D121100001812002)

北京市青年拔尖人才培育计划(批准号:CIT&TCD201204037) (批准号:CIT&TCD201204037)

北京工业大学基础研究基金资助的课题~~ ()

物理学报

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1000-3290

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