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考虑寄生参数的功率MOSFET开关损耗简化计算方法

马昆 施永 苏建徽 赖纪东 于翔

电工技术学报2021，Vol.36Issue(S02)：P.591-599,609,10.
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电工技术学报2021，Vol.36Issue(S02)：P.591-599,609,10.

考虑寄生参数的功率MOSFET开关损耗简化计算方法

马昆 1施永 1苏建徽 1赖纪东 1于翔1

作者信息

  • 1. 合肥工业大学光伏系统教育部工程研究中心,合肥230009
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摘要

关键词

功率MOSFET/寄生参数/开关损耗/计算模型

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马昆,施永,苏建徽,赖纪东,于翔..考虑寄生参数的功率MOSFET开关损耗简化计算方法[J].电工技术学报,2021,36(S02):P.591-599,609,10.

基金项目

国家重点研发计划项目(2018YFB0904100) （2018YFB0904100）

国家电网公司科技项目(SGHB0000KXJS1800685)资助。 （SGHB0000KXJS1800685）

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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