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侧向外延生长GaN的结构特性(英文)

张荣 顾书林 修向前 卢殿清 沈波 施毅 郑有炓 KUAN T S

发光学报Issue(S1):P.53-56,4.
发光学报Issue(S1):P.53-56,4.

侧向外延生长GaN的结构特性(英文)

张荣 1顾书林 1修向前 1卢殿清 1沈波 1施毅 1郑有炓 1KUAN T S2

作者信息

  • 1. 南京大学物理系
  • 2. Department of Physics,State University of New York at Albany
  • 折叠

摘要

关键词

GaN/侧向外延生长/氢化汽相外延

分类

数理科学

引用本文复制引用

张荣,顾书林,修向前,卢殿清,沈波,施毅,郑有炓,KUAN T S..侧向外延生长GaN的结构特性(英文)[J].发光学报,2001,(S1):P.53-56,4.

基金项目

国家“8 6 3”基金资助项目 ( 2 0 0 0 0 6 83) ( 2 0 0 0 0 6 83)

国家自然科学基金资助项目 ( 6 9976 0 14 ,6 96 36 0 10 ,6 980 6 0 0 6 ,6 99870 0 1)~~ ( 6 9976 0 14 ,6 96 36 0 10 ,6 980 6 0 0 6 ,6 99870 0 1)

发光学报

OA北大核心CSCD

1000-7032

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