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Nd掺杂HfO2薄膜的分子束外延制备及铁电性

刘育玮矫佩杰茆伟杨江枫郑宁冲王鹏吴迪聂越峰

硅酸盐学报2023，Vol.51Issue(12)：3039-3045,7.

硅酸盐学报2023，Vol.51Issue(12)：3039-3045,7.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20230159

Ferroelectricity in Nd Doped HfO2 Films Grown by Molecular Beam Epitaxy

刘育玮 ¹矫佩杰 ¹茆伟 ¹杨江枫 ¹郑宁冲 ¹王鹏 ²吴迪 ¹聂越峰¹

作者信息

氧化铪/铁电/分子束外延/掺杂

hafnium oxide/ferroelectric/molecular beam epitaxy/doping

数理科学

刘育玮,矫佩杰,茆伟,杨江枫,郑宁冲,王鹏,吴迪,聂越峰..Nd掺杂HfO2薄膜的分子束外延制备及铁电性[J].硅酸盐学报,2023,51(12):3039-3045,7.

国家重点研发计划(2022YFA1402502,2021YFA1400400) （2022YFA1402502,2021YFA1400400）

国家自然科学基金(52232001). （52232001）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：0454-5648

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