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应用于电力系统的SiC MOSFET器件开关特性优化控制方法

董振邦 徐云飞 李卫国 邱宇峰 杨霏 赵成勇

中国电机工程学报Issue(S01):P.254-264,11.
中国电机工程学报Issue(S01):P.254-264,11.

应用于电力系统的SiC MOSFET器件开关特性优化控制方法

董振邦 1徐云飞 1李卫国 1邱宇峰 1杨霏 1赵成勇2

作者信息

  • 1. 先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市昌平区102211
  • 2. 华北电力大学电气与电子工程学院,北京市昌平区102206
  • 折叠

摘要

关键词

SiC MOSFET/分级驱动控制/开关特性/损耗计算/电力电子变压器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

董振邦,徐云飞,李卫国,邱宇峰,杨霏,赵成勇..应用于电力系统的SiC MOSFET器件开关特性优化控制方法[J].中国电机工程学报,2020,(S01):P.254-264,11.

基金项目

国家重点研发计划项目(2016YFB0400500) (2016YFB0400500)

全碳化硅器件电力电子变压器研制及其在柔性变电站的示范应用(2016YFB0400505) (2016YFB0400505)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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