基于实验与仿真的SiC JFET单粒子效应研究OACSCDCSTPCD
Study on Single Event Effect of SiC JFET Based on Experiment and Simulation
我国航天事业发展迅速,大型空间平台的建设以及高性能电推进系统的应用对功率半导体器件的性能提出了越来越高的要求.SiC高压功率器件抗辐射研究亟待突破.对SiC JFET器件施加不同的偏置电压,进行重离子辐照实验,实验表明,SiCJFET器件存在与SiC MOSFET类似的单粒子漏电退化与单粒子烧毁2种失效模式,漏电退化程度与漏极偏置电压、重离子注量呈正相关.通过Sentaurus TCAD仿真研究,单粒子辐照之后分为2个阶段,第1阶段P+栅极区与N…查看全部>>
The rapid growth of China's aerospace sector,along with the creation of expansive space configurations like space stations,and the integration of high-perform-ance electric propulsion systems require power semiconductor devices of increasingly better performance.Consequently,it is vital to achieve a breakthrough in the research of radiation-resistant SiC high-voltage power devices.Various bias voltages were applied to SiC JFET devices and subsequent heavy-io…查看全部>>
黎荣佳;贾云鹏;周新田;胡冬青;吴郁;唐蕴;许明康;马林东;赵元富
北京工业大学,北京 100124北京工业大学,北京 100124北京工业大学,北京 100124北京工业大学,北京 100124北京工业大学,北京 100124北京工业大学,北京 100124北京工业大学,北京 100124上海精密计量测试研究所,上海 201109北京工业大学,北京 100124
核科学
SiC JFET单粒子效应单粒子烧毁重离子辐照
SiC JFETsingle event effectsingle event burnoutheavy-ion irradiation
《原子能科学技术》 2023 (12)
2304-2313,10
国家自然科学基金(62204011)
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