中红外硅基光波导的发展现状OA
Research Status of Mid-Infrared Silicon-Based Optical Waveguides
作为硅光子集成芯片中基本无源器件的硅基光波导是进行光信号传输的通道,其具有良好的性能,且与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺相兼容因而得到广泛应用.用于电信和数据中心的硅光子集成电路已逐步走向商业化.近年来,中红外波段在自由空间通信、传感以及环境监测等领域的潜在应用受到研究者们的广泛关注.文中分析了中红外硅基光波导的研究现状,归纳了SOI(Silicon on Insulator)、GOSI(Ge-on-SOI)、SOS(Si on Sap-phire)、GOS(Ge-on-Si)、SGOS(SiGe-on-Si)、SON(Si-on Si3N4)、GON(Ge-on Si3N4)等波导材料平台和SOPS(Si on Porous Si)、Undercut、Pedestal、Freestanding、Suspended、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)以及等离子体结构等制造工艺平台的研究成果.迄今为止,多数单晶硅在MIR(Mid-Infrared)平台的传播损耗大约在0.7～3.0 dB·cm-1.文中讨论并对比了不同类型波导的应用前景,为中红外硅基光波导的研发、应用和商业化提供了参考.
冯露露;冯松;胡祥建;陈梦林;刘勇;王迪
西安工程大学 理学院,陕西 西安710084
电子信息工程
中红外硅光子学无源器件硅基光波导绝缘体上硅锗硅传播损耗工作波长
mid-infraredsilicon photonicspassive devicesilicon-based optical waveguidesilicon on insulatorgermanium siliconpropagation lossworking wavelength
《电子科技》 2024 (002)
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国家重点研发计划(2018YFB2200500);国家自然科学基金(61204080);国家重点实验室基金(SKL201804);陕西省重点研发计划(2022GY-012,2020KW-011);西安市科技计划(2020KJRC0026)National Key R&D Program of China(2018YFB2200500);National Natural Science Foundation of China(61204080);State Key Laboratory of China(SKL201804);Key R&D Project of Shaanxi(2022GY-012,2020KW-011);Xi'an Science and Technology Planning Project(2020KJRC0026)
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