MHz高压脉冲电源的研究OA
Research on MHz High Voltage Pulse Power Supply
针对均匀放电、生物医疗等高频纳秒脉冲的应用需求,文中设计了一款基于射频MOSFET(Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)的高重频高压脉冲电源.脉冲电源的控制信号由FPGA(Field Programmable Gate Ar-ray)提供,并通过光纤进行传输,经驱动芯片放大后同步触发每一级放电管.驱动芯片采用电源模块隔离供电的方式来提供不同的地电位.放电管采用RCD(Residual Current Device)吸收电路来改善开关时刻的瞬时工况.分析和研究了最后一级隔离电感对放电管电压波形、负载电压波形的影响,并对Marx电路做出了改进.实验结果表明,在1 kΩ纯阻性负载上,该电源可在1 MHz重复频率下输出上升沿为40 ns、半高宽为100 ns以及电压幅值为1.1 kV的纳秒脉冲.实验验证表明该电源能够在高频高压状态下稳定工作,满足设计要求.
丁凯;饶俊峰
上海理工大学 机械工程学院,上海200093中国科学院 苏州医学工程技术研究所,江苏 苏州215163
电子信息工程
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《电子科技》 2024 (002)
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