| 注册
首页|期刊导航|电子器件|一种低反向恢复电流的无电压回跳RC-IGBT设计

一种低反向恢复电流的无电压回跳RC-IGBT设计

曾伟 武华 冯秀平 陈翰民 姚佳 杨煌虹

电子器件2023,Vol.46Issue(6):1480-1483,4.
电子器件2023,Vol.46Issue(6):1480-1483,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2023.06.004

一种低反向恢复电流的无电压回跳RC-IGBT设计

A Low Reverse Recovery Current with Snapback-Free RC-IGBT Design

曾伟 1武华 1冯秀平 1陈翰民 1姚佳 1杨煌虹1

作者信息

  • 1. 赣南师范大学物理与电子信息学院,江西 赣州341000
  • 折叠

摘要

关键词

绝缘栅双极型晶体管/无电压回跳/N+集电区/反向恢复电流

Key words

insulated gate bipolar transistor/snapback-free/N+collector/reverse recovery current

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

曾伟,武华,冯秀平,陈翰民,姚佳,杨煌虹..一种低反向恢复电流的无电压回跳RC-IGBT设计[J].电子器件,2023,46(6):1480-1483,4.

基金项目

国家自然科学基金项目(61650404) (61650404)

江西省教育厅科技项目(GJJ201411) (GJJ201411)

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文