面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应OACSTPCD
GaN power devices and their radiation effects for space applications
研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义.介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论.研究结果显示:GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧.对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权…查看全部>>
It is of great significance to study GaN(gallium nitride)power devices and their radiation effects to meet the needs of space applications and promote the construction of a new generation spacecraft.Main structures and working principles of GaN power devices were introduced.Research progress of total ionizing dose effect and single event effect of GaN power devices in recent years was reviewed.Degradation and damage mechanisms of GaN devices caused by radiat…查看全部>>
毕津顺;沈立志;梅博;曹爽;孙毅;于庆奎
中国科学院大学 集成电路学院,北京 100049||中国科学院微电子研究所,北京 100029中国科学院大学 集成电路学院,北京 100049||中国科学院微电子研究所,北京 100029中国航天宇航元器件工程中心,北京 100029中国航天宇航元器件工程中心,北京 100029中国航天宇航元器件工程中心,北京 100029中国航天宇航元器件工程中心,北京 100029
电子信息工程
GaN功率器件总剂量效应单粒子效应空间应用
GaN power devicetotal ionizing dose effectsingle event effectspace application
《国防科技大学学报》 2024 (1)
先进非易失性存储器辐照效应与加固技术基础研究
149-159,11
国家自然科学基金资助项目(61634008)
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