Si基SiC薄膜物理制备工艺研究进展OA
Advances in physical preparation process of SiC thin films on Si substrates
随着微纳电子器件集成化程度不断提高,用Si基SiC薄膜取代SiC体单晶引起了人们极大的兴趣,这种方法不仅有利于降低生产成本,还能与Si基大规模集成电路兼容.文章综述了磁控溅射、分子束外延、离子束溅射、离子注入4种物理制备Si基SiC薄膜主要工艺的研究进展,简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响,对各种工艺的优缺点和存在的问题进行了评述,同时指明了 Si基SiC薄膜领域未来的发展方向.
With the continuous improvement of the integration degree of micro/nano electronic de-vices,the replacement of SiC bulk single crystal with Si based SiC films is not only conducive to reduc-ing the production cost,but also compatible with Si based large-scale integrated circuits.Therefore,the preparation of SiC thin films on Si substrates has aroused great interest.In this review,the re-search progress of four main physical preparation processes of Si based …查看全部>>
苏江滨;朱秀梅;季雪梅;祁昊;潘鹏;何祖明
常州大学微电子与控制工程学院,江苏常州 213164常州大学微电子与控制工程学院,江苏常州 213164常州大学微电子与控制工程学院,江苏常州 213164常州大学微电子与控制工程学院,江苏常州 213164常州大学微电子与控制工程学院,江苏常州 213164常州大学微电子与控制工程学院,江苏常州 213164
SiC薄膜磁控溅射分子束外延离子束溅射离子注入
SiC thin filmsmagnetron sputteringmolecular beam epitaxyion beam sputteringion implantation
《常州大学学报（自然科学版）》 2024 (1)
9-17,9
江苏省自然科学基金资助项目(BK20191453)江苏省研究生科研创新计划资助项目(KYCX21_2819,KYCX21_2825).
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