基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术OACSTPCD
Power pulse sharpening technology based on silicon carbide plasma devices
利用Sentaurus搭建了碳化硅漂移阶跃恢复二极管(DSRD)与雪崩整形二极管(DAS)全电路仿真模型,研究了碳化硅等离子体器件在脉冲锐化方面的能力,并且通过器件内部等离子浓度分布解释了这两种器件实现脉冲锐化的机制.借助碳化硅DSRD可以将峰值超过千伏的电压脉冲的前沿缩短到 300 ps;碳化硅DSRD与DAS的组合可以输出脉冲前沿在 35 ps、峰值超过 2kV的电压脉冲.仿真与实验发现当触发脉冲与碳化硅DAS匹配时,可以实现快速开启后快速关…查看全部>>
A full-circuit simulation model of silicon carbide Drift Step Recovery Diode(DSRD)and Diode Avalanche Shaper(DAS)was built based on Sentaurus.By use of simulation,this paper investigates the capability of silicon carbide plasma devices in pulse sharpening and explains the mechanism of pulse sharpening achieved by these two devices through the plasma concentration distribution inside the devices.With the help of a silicon carbide DSRD,it is possible to reduce…查看全部>>
郭登耀;汤晓燕;宋庆文;周瑜;郭京凯;孙乐嘉;袁昊;杜丰羽;张玉明
西安电子科技大学微电子学院,西安 710071西安电子科技大学微电子学院,西安 710071西安电子科技大学微电子学院,西安 710071西安电子科技大学微电子学院,西安 710071||西安电子科技大学芜湖研究院,安徽芜湖 241002西安电子科技大学微电子学院,西安 710071西安电子科技大学微电子学院,西安 710071西安电子科技大学微电子学院,西安 710071西安电子科技大学微电子学院,西安 710071||西安电子科技大学芜湖研究院,安徽芜湖 241002西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
电子信息工程
碳化硅漂移阶跃恢复二极管雪崩整形二极管超宽带
silicon carbidedrift step recovery diodediode avalanche shaperultra wide band
《强激光与粒子束》 2024 (1)
亚纳秒级超快离化脉冲功率器件研究
43-48,6
国家自然科学基金项目(62174123)
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