p-Si/n-Ga2O3异质结制备与特性研究OACSTPCD
Fabrication and Characteristics of p-Si/n-Ga2O3 Heterojunction
本实验采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在p(111)型Si衬底上制备了 p-Si/n-Ga2O3结构的PN结.通过X射线衍射仪、原子力显微镜等对样品进行了晶体结构、表面形貌、表面粗糙度等的表征分析;通过磁控溅射与蒸镀方法在样品上生长Ti/Au电极并进行Ⅰ-Ⅴ特性曲线、开启电压、开关电流比、反向饱和电流、理想因子、零偏压下的势垒高度等结特性测试,研究了掺杂浓度与薄膜厚度对PN结特性的影响,并对其原因进行了分析;通过二步生长法和缓冲层温度…查看全部>>
PN junction with p-Si/n-Ga2O3 structure was developed by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)technology on p-type Si(111)substrate.The crystal structure,surface morphology and surface roughness were measured by X-ray diffractometer and atomic force microscope.Then Ti/Au electrodes on these samples were developed by magnet sputtering and evaporation for testing the PN junction characteristics such as Ⅰ-Ⅴ curve chart,threshold voltage,on-off current …查看全部>>
陈沛然;焦腾;陈威;党新明;刁肇悌;李政达;韩宇;于含;董鑫
吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春 130012吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春 130012吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春 130012吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春 130012吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春 130012吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春 130012吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春 130012吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春 130012吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春 130012
电子信息工程
β-Ga2O3薄膜金属有机化学气相沉积p-Si/n-Ga2O3PN结晶体质量电学特性
β-Ga2 O3 thin filmmetal organic chemical vapor depositionp-Si/n-Ga2 O3PN junctioncrystal qualityelectrical property
《人工晶体学报》 2024 (1)
73-81,9
吉林省自然科学基金(20230101124JC,20220101119JC)国家重点研发计划(2022YFB3605500)
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