氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用OA北大核心CSTPCD
采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96%。此…查看全部>>
陈晓丽;陈佩丽;卢思;朱艳青;徐雪青;苏秋成
中国科学院广州能源研究所,广东广州510640中国科学院广州能源研究所,广东广州510640中国科学院广州能源研究所,广东广州510640中国科学院广州能源研究所,广东广州510640中国科学院广州能源研究所,广东广州510640中国科学院广州能源研究所,广东广州510640
物理学
HFInP/GaP/ZnS量子点光学性能发光二极管
《发光学报》 2024 (1)
P.69-77,9
广东省基金与应用基础研究基金项目(2023A1515010345)广东省省级科技计划项目(2023A0505010003)中国科学院技术支撑人才项目(E329850301)。
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