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半导体碳化硅衬底的湿法氧化

鲁雪松王万堂王蓉杨德仁皮孝东

人工晶体学报2024，Vol.53Issue(2)：P.181-193,13.

鲁雪松 ¹王万堂 ²王蓉 ¹杨德仁 ¹皮孝东¹

作者信息

1. 浙江大学材料科学与工程学院,硅及先进半导体材料全国重点实验室,杭州310027 浙江大学杭州国际科创中心,先进半导体研究院和浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,杭州311200
2. 浙江大学材料科学与工程学院,硅及先进半导体材料全国重点实验室,杭州310027 浙江大学杭州国际科创中心,先进半导体研究院和浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,杭州311200 浙江大学电气工程学院,杭州310027
折叠

碳化硅/半导体/加工/湿法氧化/化学机械抛光/材料去除率

信息技术与安全科学

鲁雪松,王万堂,王蓉,杨德仁,皮孝东..半导体碳化硅衬底的湿法氧化[J].人工晶体学报,2024,53(2):P.181-193,13.

国家自然科学基金(62274143,62204216) （62274143,62204216）

浙江省“尖兵”“领雁”研发计划(2022C01021,2023C01010) （2022C01021,2023C01010）

杭州市领军型创新创业引进培育计划(TD2022012) （TD2022012）

中央高校基本科研经费(226-2022-00200)。（226-2022-00200）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1000-985X

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