大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究OACSTPCD
本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力及电学性能等之间的关联。提出了一种基于AlN/AlGaN复合成核技术的应力调控方案,首次实现了大尺寸范德瓦耳斯(vdW)异质外延材料应力的有效管控,研制的GaN微波材料的弯曲度(Bow)为+20.4μm,(00…查看全部>>
李传皓;李忠辉;彭大青;张东国;杨乾坤;罗伟科
南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016 中国电科碳基电子重点实验室,南京210016南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016 中国电科碳基电子重点实验室,南京210016南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016 中国电科碳基电子重点实验室,南京210016南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016 中国电科碳基电子重点实验室,南京210016南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016 中国电科碳基电子重点实验室,南京210016南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016 中国电科碳基电子重点实验室,南京210016
电子信息工程
范德瓦耳斯异质外延金属有机化学气相沉积GaN微波材料少层BN应力调控
《人工晶体学报》 2024 (2)
P.252-257,6
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