人工晶体学报2024，Vol.53Issue(2)：P.252-257,6.
大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究
李传皓 1李忠辉 1彭大青 1张东国 1杨乾坤 1罗伟科1
作者信息
- 1. 南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016 中国电科碳基电子重点实验室,南京210016
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摘要
关键词
范德瓦耳斯异质外延/金属有机化学气相沉积/GaN微波材料/少层BN/应力调控分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李传皓,李忠辉,彭大青,张东国,杨乾坤,罗伟科..大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究[J].人工晶体学报,2024,53(2):P.252-257,6.
