130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究OA北大核心CSTPCD
为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律。SOI SRAM的SEU截面在TID辐照后呈现明显的降低,最大在750 krad(Si)剂量辐照后下降80.5%。器件的饱和截面呈现随剂量增加而下降的趋势,最大下降19.5%,研…查看全部>>
肖舒颜;郭刚;王林飞;张峥;陈启明;高林春;王春林;张付强;赵树勇;刘建成
中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413中国科学院微电子研究所,北京100029中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413中国科学院微电子研究所,北京100029中国科学院微电子研究所,北京100029中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413
核科学
总剂量效应单粒子效应协和效应单粒子翻转静态随机存储器
《原子能科学技术》 2024 (2)
P.506-512,7
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