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130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究

肖舒颜 郭刚 王林飞 张峥 陈启明 高林春 王春林 张付强 赵树勇 刘建成

原子能科学技术2024,Vol.58Issue(2):P.506-512,7.
原子能科学技术2024,Vol.58Issue(2):P.506-512,7.DOI:10.7538/yzk.2023.youxian.0347

130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究

肖舒颜 1郭刚 1王林飞 2张峥 1陈启明 1高林春 2王春林 2张付强 1赵树勇 1刘建成1

作者信息

  • 1. 中国原子能科学研究院核物理研究所,北京102413
  • 2. 中国科学院微电子研究所,北京100029
  • 折叠

摘要

关键词

总剂量效应/单粒子效应/协和效应/单粒子翻转/静态随机存储器

分类

能源科技

引用本文复制引用

肖舒颜,郭刚,王林飞,张峥,陈启明,高林春,王春林,张付强,赵树勇,刘建成..130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究[J].原子能科学技术,2024,58(2):P.506-512,7.

原子能科学技术

OA北大核心CSTPCD

1000-6931

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