人工晶体学报2024，Vol.53Issue(2)：P.329-335,7.
全TOPCon电池正面多晶硅层硼掺杂工艺
张博 1宋志成 2倪玉凤 1魏凯峰1
作者信息
- 1. 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安710000
- 2. 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安710000 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071
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摘要
关键词
TOPCon电池/钝化接触/硼扩散/钝化/电流密度/光电转换效率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张博,宋志成,倪玉凤,魏凯峰..全TOPCon电池正面多晶硅层硼掺杂工艺[J].人工晶体学报,2024,53(2):P.329-335,7.
