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Ⅲ族氮化物半导体及其合金的原子层沉积和应用

仇鹏 刘恒 朱晓丽 田丰 杜梦超 邱洪宇 陈冠良 胡玉玉 孔德林 杨晋 卫会云 彭铭曾 郑新和

物理学报2024，Vol.73Issue(3)：P.50-71,22.
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物理学报2024，Vol.73Issue(3)：P.50-71,22.DOI:10.7498/aps.73.20230832

Ⅲ族氮化物半导体及其合金的原子层沉积和应用

仇鹏 1刘恒 1朱晓丽 1田丰 1杜梦超 1邱洪宇 1陈冠良 1胡玉玉 1孔德林 1杨晋 1卫会云 1彭铭曾 1郑新和1

作者信息

  • 1. 北京科技大学数理学院,磁光电复合材料与界面科学北京市重点实验室,北京100083
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摘要

关键词

原子层沉积/氮化物半导体/薄膜生长

分类

化学化工

引用本文复制引用

仇鹏,刘恒,朱晓丽,田丰,杜梦超,邱洪宇,陈冠良,胡玉玉,孔德林,杨晋,卫会云,彭铭曾,郑新和..Ⅲ族氮化物半导体及其合金的原子层沉积和应用[J].物理学报,2024,73(3):P.50-71,22.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2018YFA0703700) （批准号:2018YFA0703700）

国家自然科学基金(批准号:52002021) （批准号:52002021）

中央高校基本科研业务费(批准号:FRF-IDRY-GD22-001)资助的课题。 （批准号:FRF-IDRY-GD22-001）

物理学报

OA北大核心CSTPCD

1000-3290

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