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碳化硅MOSFET并联电流分配不均衡影响因素与抑制方法综述

赵志斌 乔建申 孙鹏 蔡雨萌 赵斌 魏宏

高电压技术2024，Vol.50Issue(2)：P.634-648,15.
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高电压技术2024，Vol.50Issue(2)：P.634-648,15.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20230604

碳化硅MOSFET并联电流分配不均衡影响因素与抑制方法综述

赵志斌 1乔建申 1孙鹏 1蔡雨萌 1赵斌 2魏宏3

作者信息

  • 1. 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学),北京102206
  • 2. 国网北京电科院,北京100075
  • 3. 南瑞集团公司(国网电力科学研究院)有限公司,南京211000 中电普瑞科技有限公司,北京102200
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅MOSFET/并联电流/分配不均衡/影响因素/抑制方法

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵志斌,乔建申,孙鹏,蔡雨萌,赵斌,魏宏..碳化硅MOSFET并联电流分配不均衡影响因素与抑制方法综述[J].高电压技术,2024,50(2):P.634-648,15.

基金项目

国家电网有限公司科技项目(52094021N012)。 （52094021N012）

高电压技术

OA北大核心CSTPCD

1003-6520

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