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SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究

刘建君 陈宏 丁杰钦 白云 郝继龙 韩忠霖

电源学报2024，Vol.22Issue(1)：P.147-152,6.
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电源学报2024，Vol.22Issue(1)：P.147-152,6.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2024.1.147

SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究

刘建君 1陈宏 2丁杰钦 3白云 2郝继龙 2韩忠霖2

作者信息

  • 1. 中国科学院大学微电子学院,北京100049 中国科学院微电子研究所,北京100029
  • 2. 中国科学院微电子研究所,北京100029
  • 3. 株洲中车时代半导体有限公司,株洲412001
  • 折叠

摘要

关键词

SiC MOSFET/可靠性/栅氧/高温栅偏

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘建君,陈宏,丁杰钦,白云,郝继龙,韩忠霖..SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究[J].电源学报,2024,22(1):P.147-152,6.

基金项目

国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400404)。 （2016YFB0400404）

电源学报

OA北大核心

2095-2805

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