SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究OA北大核心
碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同规格SiC MOSFET的高温栅氧可靠性。负压高温…查看全部>>
刘建君;陈宏;丁杰钦;白云;郝继龙;韩忠霖
中国科学院大学微电子学院,北京100049 中国科学院微电子研究所,北京100029中国科学院微电子研究所,北京100029株洲中车时代半导体有限公司,株洲412001中国科学院微电子研究所,北京100029中国科学院微电子研究所,北京100029中国科学院微电子研究所,北京100029
动力与电气工程
SiC MOSFET可靠性栅氧高温栅偏
《电源学报》 2024 (1)
P.147-152,6
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400404)。
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