透射式GaAs光电阴极性能提高以及结构优化OA北大核心CSTPCD
为了提高透射式GaAs光电阴极性能,将国内与美国ITT公司的透射式GaAs光电阴极量子效率曲线进行对比,可知我国透射式光电阴极积分灵敏度已经达到2130μA/lm,美国ITT达到了2330μA/lm.利用修正后的量子效率、光学性能以及积分灵敏度的理论模型,分别对两者进行光学结构拟合.结果表明,国内光电阴极在窗口层和发射层的厚度、电子扩散长度以及后界面复合速率等方面均与ITT有一定差距.为了缩短两者的差距,优化阴极结构参数,具体研究了电子扩散长度和发射层厚度对量子效率的影响,结果表明如果均匀掺杂透射式GaAs光电阴极发射层厚度为1.3μm、电子扩散长度为7μm,则积分灵敏度可以达到2800μA/lm以上.
吕行;富容国;常本康;郭欣;王芝;
南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094昆明物理研究所,昆明650221西安应用光学研究所,西安710065
物理学
Ga As光电阴极透射式结构优化光学性能光电发射性能
《物理学报》 2024 (003)
P.266-272 / 7
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