重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响OA北大核心CSTPCD
采用^(181)Ta^(32+)重离子辐射AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,获得器件在重离子辐射前后的电学特性和低频噪声特性.重离子辐射导致器件的阈值电压正向漂移、最大饱和电流减小等电学参数的退化.微光显微测试发现辐射后器件热点数量明显增加,引入更多缺陷.随着辐射注量的增加,电流噪声功率谱密度逐渐增大,在注量为1×10^(10)ions/cm^(2)重离子辐射后,缺陷密度增大到3.19×10^(18)cm^(-3)·eV^(-1),不同栅压下的Hooge参数增大.通过漏极电流噪声归一化功率谱密度随偏置电压的变化分析,发现重离子辐射产生的缺陷会导致寄生串联电阻增大.
吕玲;邢木涵;薛博瑞;曹艳荣;胡培培;郑雪峰;马晓华;郝跃;
西安电子科技大学微电子学院,西安710071西安电子科技大学机电工程学院,西安710071中国科学院近代物理研究所,兰州730000
电子信息工程
重离子辐射氮化镓高电子迁移率晶体管低频噪声
《物理学报》 2024 (003)
P.209-216 / 8
国家自然科学基金重点项目(批准号:12035019,62234013)资助的课题。
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