|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|物理学报|重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响

重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响

吕玲 邢木涵 薛博瑞 曹艳荣 胡培培 郑雪峰 马晓华 郝跃

物理学报2024，Vol.73Issue(3)：P.209-216,8.
✕
物理学报2024，Vol.73Issue(3)：P.209-216,8.DOI:10.7498/aps.73.20221360

重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响

吕玲 1邢木涵 1薛博瑞 1曹艳荣 2胡培培 3郑雪峰 1马晓华 1郝跃1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,西安710071
  • 2. 西安电子科技大学机电工程学院,西安710071
  • 3. 中国科学院近代物理研究所,兰州730000
  • 折叠

摘要

关键词

重离子辐射/氮化镓/高电子迁移率晶体管/低频噪声

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吕玲,邢木涵,薛博瑞,曹艳荣,胡培培,郑雪峰,马晓华,郝跃..重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响[J].物理学报,2024,73(3):P.209-216,8.

基金项目

国家自然科学基金重点项目(批准号:12035019,62234013)资助的课题。 （批准号:12035019,62234013）

物理学报

OA北大核心CSTPCD

1000-3290

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文