注意缺陷多动障碍共患对立违抗障碍儿童大脑皮质形态学特点OA北大核心CHSSCDCSTPCD

目的:探讨注意缺陷多动障碍(ADHD)共患对立违抗障碍(ODD)儿童的大脑皮质形态学特点。方法:选取符合美国精神障碍诊断与统计手册第4版(DSM-IV)诊断标准的ADHD共患ODD儿童16例,不共患ODD的ADHD儿童20例,及性别、年龄匹配的36例正常对照儿童。采用中国修订韦氏儿童智力量表(C-WISC)评估智商。所有被试进行脑磁共振成像扫描及数据采集,采用FreeS urfer软件分析大脑皮质形态学指标。结果:ADHD伴ODD组[(6528.1±857.5)mm^(3)vs.(7591.2±657.3)mm^(3)]、ADHD不伴ODD组[(6867.2±841.3)mm^(3)vs.(7591.2±657.3)mm^(3)]左外侧颞上回脑区皮质体积均小于正常对照组(P<0.05),而ADHD伴ODD与ADHD不伴ODD两组间体积差异无统计学意义(P>0.05);ADHD组左外侧颞上回脑区皮质体积与ODD症状的相关无统计学意义(P>0.05)。3组间皮质厚度、表面积和曲率差异无统计学意义(均P>0.05)。结论:左外侧颞上回皮质体积减小可能是ADHD儿童的重要脑结构异常指征,共患ODD未改变这一特点。