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星用微波集成电路TaN薄膜电阻的功率耐受值研究

张楠 王平 杨钊

空间电子技术2024,Vol.21Issue(1):P.33-38,6.
空间电子技术2024,Vol.21Issue(1):P.33-38,6.DOI:10.3969/j.issn.1674-7135.2024.01.006

星用微波集成电路TaN薄膜电阻的功率耐受值研究

张楠 1王平 1杨钊1

作者信息

  • 1. 中国空间技术研究院西安分院,西安710000
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摘要

关键词

氮化钽/薄膜电路/功率密度

分类

航空航天

引用本文复制引用

张楠,王平,杨钊..星用微波集成电路TaN薄膜电阻的功率耐受值研究[J].空间电子技术,2024,21(1):P.33-38,6.

基金项目

国家重点实验室基金项目(编号:6142411552214)。 (编号:6142411552214)

空间电子技术

1674-7135

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