一种基于SIC DSRD脉冲功率系统的优化方法OACSTPCD
从脉冲功率系统优化的角度,提出了漂移阶跃恢复二极管(drift step recovery diodes, DSRD)器件的最优面积选取方法,建立了单开关DSRD驱动电路的线性拟合解析模型;结合SiC材料短空穴寿命的特性,提出了SiC基DSRD驱动电路参数的优化方案;基于该方案研制了采用SiC DSRD的脉冲功率源。实验结果表明,匹配负载为50Ω时,研制的脉冲功率源能输出760 V的峰值电压,脉冲上升沿达810 ps,且不存在单脉冲下的多次触发现…查看全部>>
郭京凯;弋锦;周瑜;郭登耀;张雨;袁昊;杜丰羽;汤晓燕;宋庆文;孙乐嘉;张玉明
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电子信息工程
脉冲功率系统漂移阶跃恢复二极管碳化硅亚纳秒
《现代应用物理》 2023 (4)
P.138-142,5
国家自然科学基金资助项目(62174123)。
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