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具有多MO喷嘴垂直MOCVD反应腔外延层厚度均匀性的优化理论及应用

李建军 崔屿峥 付聪乐 秦晓伟 李雨畅 邓军

物理学报2024,Vol.73Issue(4):P.245-255,11.
物理学报2024,Vol.73Issue(4):P.245-255,11.DOI:10.7498/aps.73.20231555

具有多MO喷嘴垂直MOCVD反应腔外延层厚度均匀性的优化理论及应用

李建军 1崔屿峥 1付聪乐 1秦晓伟 1李雨畅 1邓军1

作者信息

  • 1. 北京工业大学,光电子技术教育部重点实验室,北京100124
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摘要

关键词

外延生长/最小二乘拟合/薄膜均匀性/金属有机物化学气相沉积

分类

信息技术与安全科学

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李建军,崔屿峥,付聪乐,秦晓伟,李雨畅,邓军..具有多MO喷嘴垂直MOCVD反应腔外延层厚度均匀性的优化理论及应用[J].物理学报,2024,73(4):P.245-255,11.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2018YFA0209003) (批准号:2018YFA0209003)

北京市自然科学基金(批准号:4222060)资助的课题. (批准号:4222060)

物理学报

OA北大核心CSTPCD

1000-3290

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