质子注入缓冲层结构的高压FS-IGBT动态坚固性研究OA北大核心CSTPCD
Investigation on Dynamic Robustness of High Voltage FS-IGBT With Multiple Proton Injection Buffers Layer
具有多重质子注入(multiple proton injection,MPI)缓冲层结构的FS-IGBT,相比传统磷注入缓冲层结构的同类型器件,其动态坚固性发生了改变.通过对 MPI 缓冲层结构的FS-IGBT的短路特性研究发现,MPI缓冲层的峰数越多,抗短路热失效能力越强,但是峰数太多,可能会引起IGBT在短路时的栅极电压振荡,造成器件失效.这与IGBT在短路大电流下的 Kirk 效应有关.Kirk 效应造成短路时 IGBT栅电极下电场降低,电…查看全部>>
The dynamic robustness of FS-IGBT with multiple proton injection buffers(MPI)is changed compared with the same type of devices which has traditional phosphorus injection buffers.By studying the short-circuit characteristics of FS-IGBT with MPI buffer layer,it is found that the higher the number of peaks in MPI buffer layer,the stronger the resistance to short-circuit thermal failure.However,too many peaks may cause the gate voltage oscillation of IGBT during…查看全部>>
魏晓光;聂瑞芬;金锐;王耀华;李立;田宝华;王松华
北京智慧能源研究院,北京市 昌平区 102200北京智慧能源研究院,北京市 昌平区 102200北京智慧能源研究院,北京市 昌平区 102200北京智慧能源研究院,北京市 昌平区 102200北京智慧能源研究院,北京市 昌平区 102200北京智慧能源研究院,北京市 昌平区 102200北京智慧能源研究院,北京市 昌平区 102200
动力与电气工程
多重质子注入缓冲层短路坚固性振荡Kirk效应
multiple proton injectionbuffer layershort-circuit robustnessoscillationKirk effect
《中国电机工程学报》 2024 (5)
1924-1931,中插22,9
国家电网有限公司科技项目(5500-202158491A-0-5-ZN). Science and Technology Project of State Grid Corporation of China(5500-202158491A-0-5-ZN).
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