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基于Ga_(2)O_(3)-SiC-Ag多层结构的介电常数近零超低开关阈值光学双稳态器件

胡生润季学强王进进阎结昀张天悦李培刚

物理学报2024，Vol.73Issue(5)：P.109-116,8.

物理学报2024，Vol.73Issue(5)：P.109-116,8.DOI:10.7498/aps.73.20231534

胡生润 ¹季学强 ²王进进 ²阎结昀 ¹张天悦 ²李培刚³

作者信息

1. 北京邮电大学,信息光子学与光通信国家重点实验室,北京100876 北京邮电大学理学院,信息功能材料与器件实验室,北京100876
2. 北京邮电大学,信息光子学与光通信国家重点实验室,北京100876 功率器件与功率集成实验室,北京邮电大学集成电路学院,北京100876
3. 北京邮电大学,信息光子学与光通信国家重点实验室,北京100876 北京邮电大学理学院,信息功能材料与器件实验室,北京100876 功率器件与功率集成实验室,北京邮电大学集成电路学院,北京100876
折叠

光学双稳态/Ga_(2)O_(3)-SiC-Ag/介电常数近零材料/非线性光学

信息技术与安全科学

胡生润,季学强,王进进,阎结昀,张天悦,李培刚..基于Ga_(2)O_(3)-SiC-Ag多层结构的介电常数近零超低开关阈值光学双稳态器件[J].物理学报,2024,73(5):P.109-116,8.

国家自然科学基金(批准号:51572241) （批准号:51572241）

北京邮电大学博士生创新基金(批准号:CX2023301) （批准号:CX2023301）

中央高校基本科研业务费专项基金(批准号:2023RC87)资助的课题. （批准号:2023RC87）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1000-3290

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