近地轨道质子和α粒子入射InP产生的位移损伤模拟OA北大核心CSTPCD
磷化铟(InP)材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、耐高温、抗辐照等优点,是制备航天器电子器件的优良材料.近地轨道内的质子和α粒子对近地卫星威胁巨大,其在InP电子器件中产生的位移损失效应是导致InP电子器件电学性能下降的主要因素.本文使用蒙特卡罗软件Geant4研究近地轨道的质子与α粒子分别经过150μm二氧化硅和2.54 mm铝层屏蔽后,在500/1000/5000μm InP材料中产生的非电离能量损失(non-ionizing energy …查看全部>>
白雨蓉;李培;何欢;刘方;李薇;贺朝会
西安交通大学核科学与技术学院,西安710049西安交通大学核科学与技术学院,西安710049西安交通大学核科学与技术学院,西安710049西安交通大学核科学与技术学院,西安710049西安交通大学核科学与技术学院,西安710049西安交通大学核科学与技术学院,西安710049
磷化铟位移损伤Geant4非电离能量损失近地轨道
《物理学报》 2024 (5)
P.85-91,7
国家自然科学基金(批准号:11975179)资助的课题.
评论