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室温下高探测效率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管

祁雨菲王文娟孙京华武文梁焰曲会丹周敏陆卫

红外与毫米波学报2024，Vol.43Issue(1)：1-6,6.

红外与毫米波学报2024，Vol.43Issue(1)：1-6,6.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2024.01.001

室温下高探测效率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管

High detection efficiency InGaAsP/InP single-photon avalanche diode at room temperature

祁雨菲 ¹王文娟 ²孙京华 ³武文 ⁴梁焰 ⁴曲会丹 ²周敏 ²陆卫⁵

作者信息

1. 中国科学院大学杭州高等研究院,浙江杭州 310024||中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083||中国科学院大学,北京 100049
2. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
3. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083||上海理工大学,上海 200093
4. 上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海 200093
5. 中国科学院大学杭州高等研究院,浙江杭州 310024||中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
折叠

摘要

Abstract

We described a high-performance planar InGaAsP/InP single-photon avalanche diode(SPAD)with a separate absorption,grading,charge and multiplication(SAGCM)heterostructure.By electric field regulation and defects control,the SPAD operated in the gated-mode at 293 K with a photon detection efficiency(PDE)of 70%,a dark count rate(DCR)of 14.93 kHz and an after-pulse probability(APP)of 0.89%.Furthermore,when operated in the active quenching mode with a dead time of 200 ns,a PDE of 12.49%and a DCR of 72.29 kHz were achieved at room temperature.

关键词

单光子雪崩二极管/暗计数率/光子探测效率/后脉冲概率

Key words

single photon avalanche diode/dark count rate/photon detection efficiency/after-pulse probability

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

祁雨菲,王文娟,孙京华,武文,梁焰,曲会丹,周敏,陆卫..室温下高探测效率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管[J].红外与毫米波学报,2024,43(1):1-6,6.

基金项目

Supported by the National Natural Science Foundation of China(NSFC)(62174166,11991063,U2241219),Shanghai Municipal Sci-ence and Technology Major Project(2019SHZDZX01,22JC1402902),and the Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences(XDB43010200). （NSFC）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1001-9014

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